Número de Producto del Fabricante:
IRF510S
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRF510S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12858648
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF510S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF510
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF510S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF510SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
27540
NÚMERO DE PIEZA
IRF510SPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF720STRR
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
NVMFS5C456NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS6H852NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
