IRF830BPBF-BE3

Número de Producto del Fabricante:

IRF830BPBF-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRF830BPBF-BE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

13 Pcs Nuevos Originales En Stock

12945868

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IRF830BPBF-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

500 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5.3A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

325 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

IRF830

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IRF830BPBF-BE3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

742-IRF830BPBF-BE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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