IRFI830G
Número de Producto del Fabricante:

IRFI830G

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFI830G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

12911777
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IRFI830G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
IRFI830

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
Q932707
*IRFI830G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TK5A50D(STA4,Q,M)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
34
NÚMERO DE PIEZA
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK5A55D(STA4,Q,M)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
47
NÚMERO DE PIEZA
TK5A55D(STA4,Q,M)-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRFI830GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
795
NÚMERO DE PIEZA
IRFI830GPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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