IRL630PBF-BE3
Número de Producto del Fabricante:

IRL630PBF-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRL630PBF-BE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945883
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRL630PBF-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRL630

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-IRL630PBF-BE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK210V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN

vishay-siliconix

IRFR1N60APBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

SI1411DH-T1-BE3

MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6

stmicroelectronics

STP40NF10L

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB