Número de Producto del Fabricante:
SI1011X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1011X-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V SC89-3
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 480mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventario:
12913409
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ENVIAR
SI1011X-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
480mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
640mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
62 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89-3
Paquete / Caja
SC-89, SOT-490
Número de producto base
SI1011
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1011X-T1-GE3DKR
SI1011X-T1-GE3CT
SI1011X-T1-GE3TR
SI1011XT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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