Número de Producto del Fabricante:
SI1046X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1046X-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 606mA ( Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventario:
12914916
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI1046X-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
606mA ( Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
420mOhm @ 606mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.49 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
66 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89-3
Paquete / Caja
SC-89, SOT-490
Número de producto base
SI1046
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1046X-T1-GE3CT
SI1046XT1GE3
SI1046X-T1-GE3DKR
SI1046X-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI1012X-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
10778
NÚMERO DE PIEZA
SI1012X-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI1050X-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
IRFU9024
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
SI1433DH-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
