Número de Producto del Fabricante:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1072X-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventario:
12913917
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ENVIAR
SI1072X-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
236mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89 (SOT-563F)
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SI1072
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI1070X-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
923
NÚMERO DE PIEZA
SI1070X-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SSM6K202FE,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
21141
NÚMERO DE PIEZA
SSM6K202FE,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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