SI1305DL-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI1305DL-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI1305DL-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3

Inventario:

12913774
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SI1305DL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
860mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
280mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 4.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
290mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SI1305

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1305DL-T1-GE3CT
SI1305DL-T1-GE3TR
SI1305DL-T1-GE3DKR
SI1305DLT1GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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