SI1403BDL-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI1403BDL-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI1403BDL-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-70-6

Inventario:

19249 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954925
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SI1403BDL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
SI1403

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1403BDL-T1-GE3DKR
SI1403BDL-T1-GE3TR
SI1403BDL-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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