SI1431DH-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI1431DH-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI1431DH-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.7A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6

Inventario:

12959494
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI1431DH-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
SI1431

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRF630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

SI7450DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR9010PBF

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

IRF620STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK