SI1902CDL-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI1902CDL-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI1902CDL-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6

Inventario:

9166 Pcs Nuevos Originales En Stock
12912860
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ENVIAR

SI1902CDL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A
rds activados (máx.) @ id, vgs
235mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
62pF @ 10V
Potencia - Máx.
420mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Número de producto base
SI1902

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1902CDL-T1-GE3CT
SI1902CDL-T1-GE3DKR
SI1902CDL-T1-GE3-DG
SI1902CDL-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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