Número de Producto del Fabricante:
SI2338DS-T1-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI2338DS-T1-BE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta), 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
2390 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977802
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI2338DS-T1-BE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
424 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SI2338DS-T1-BE3CT
742-SI2338DS-T1-BE3TR
742-SI2338DS-T1-BE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI2306BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI3460BDV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET