SI2392ADS-T1-BE3
Número de Producto del Fabricante:

SI2392ADS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI2392ADS-T1-BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta), 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

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SI2392ADS-T1-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
126mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
196 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SI2392ADS

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SI2392ADS-T1-BE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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