Número de Producto del Fabricante:
SI2399DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI2399DS-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
7732 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917749
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
WKam
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI2399DS-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
835 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SI2399
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI2399DS-T1-GE3CT
SI2399DS-T1-GE3TR
SI2399DS-T1-GE3-DG
SI2399DS-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
SIR864DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
