SI3455ADV-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI3455ADV-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI3455ADV-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12917429
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI3455ADV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.14W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3455

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NTGS3455T1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
39284
NÚMERO DE PIEZA
NTGS3455T1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO

vishay-siliconix

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W

vishay-siliconix

SI5419DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

vishay-siliconix

SI3447BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP