Número de Producto del Fabricante:
SI3459DV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3459DV-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2.2A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12912322
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ENVIAR
SI3459DV-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
220mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3459
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3459DV-T1-E3CT
SI3459DVT1E3
SI3459DV-T1-E3TR
SI3459DV-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3459BDV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
41538
NÚMERO DE PIEZA
SI3459BDV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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