Número de Producto del Fabricante:
SI3483CDV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI3483CDV-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
86569 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917675
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI3483CDV-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3483
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3483CDV-T1-GE3CT
SI3483CDV-T1-GE3DKR
SI3483CDVT1GE3
SI3483CDV-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
SI3465DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP
