Número de Producto del Fabricante:
SI4153DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4153DY-T1-GE3-DG
Descripción:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
2121 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975051
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4153DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
742-SI4153DY-T1-GE3TR
742-SI4153DY-T1-GE3CT
742-SI4153DY-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVMFS6H801NWFT3G
TRENCH 8 80V NFET
NP179N04TUK-E1-AY
AUTOMOTIVE MOS
R8005ANJGTL
NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005