Número de Producto del Fabricante:
SI4403BDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4403BDY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 7.3A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12954209
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ENVIAR
SI4403BDY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 9.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 350µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.35W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4403
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4403BDY-T1-GE3TR
SI4403BDY-T1-GE3DKR
SI4403BDY-T1-GE3CT
SI4403BDYT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI4403CDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
20690
NÚMERO DE PIEZA
SI4403CDY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDS6375
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2121
NÚMERO DE PIEZA
FDS6375-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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