Número de Producto del Fabricante:
SI4408DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4408DY-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
5837 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918407
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4408DY-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4408
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4408DY-T1-E3TR
SI4408DYT1E3
SI4408DY-T1-E3CT
SI4408DY-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIE808DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUP45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
