SI4632DY-T1-GE3

Número de Producto del Fabricante:

SI4632DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI4632DY-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

Descripción Detallada:

N-Channel 25 V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

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12918225

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SI4632DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

25 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.6V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

161 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

11175 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOIC

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

SI4632

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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