Número de Producto del Fabricante:
SI4642DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4642DY-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 34A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 34A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12915465
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4642DY-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.75mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5540 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4642
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4642DYT1E3
SI4642DY-T1-E3DKR
SI4642DY-T1-E3TR
SI4642DY-T1-E3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF8788TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7294
NÚMERO DE PIEZA
IRF8788TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFV96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
SI3447CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8