Número de Producto del Fabricante:
SI4850EY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4850EY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
4971 Pcs Nuevos Originales En Stock
12912756
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI4850EY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4850
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4850EY-T1-GE3CT
SI4850EY-T1-GE3DKR
SI4850EY-T1-GE3TR
SI4850EYT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
IXTP160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
