SI4967DY-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI4967DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI4967DY-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 2W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

12920062
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SI4967DY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4967

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SI9933CDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
26680
NÚMERO DE PIEZA
SI9933CDY-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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