Número de Producto del Fabricante:
SI5509DC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI5509DC-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
12911455
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ENVIAR
SI5509DC-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.1A, 4.8A
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.6nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455pF @ 10V
Potencia - Máx.
4.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
1206-8 ChipFET™
Número de producto base
SI5509
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5509DCT1E3
SI5509DC-T1-E3CT
SI5509DC-T1-E3TR
SI5509DC-T1-E3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TT8M1TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6717
NÚMERO DE PIEZA
TT8M1TR-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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