Número de Producto del Fabricante:
SI7120DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7120DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 6.3A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12919962
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7120DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.3A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7120
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7120DNT1GE3
SI7120DN-T1-GE3CT
SI7120DN-T1-GE3DKR
SI7120DN-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI7120ADN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
3413
NÚMERO DE PIEZA
SI7120ADN-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SI9410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
SIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
