SI7309DN-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI7309DN-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI7309DN-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventario:

4617 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914231
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI7309DN-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7309

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7309DNT1E3
SI7309DN-T1-E3DKR
SI7309DN-T1-E3CT
SI7309DN-T1-E3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI3499DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4848DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO

vishay-siliconix

IRLZ44PBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

littelfuse

IXFY4N60P3

MOSFET N-CH 600V 4A TO252