Número de Producto del Fabricante:
SI7601DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7601DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12915081
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ENVIAR
SI7601DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19.2mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1870 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7601
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7601DNT1GE3
SI7601DN-T1-GE3CT
SI7601DN-T1-GE3TR
SI7601DN-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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