Número de Producto del Fabricante:
SI7794DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7794DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 28.6A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12917249
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ENVIAR
SI7794DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28.6A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2520 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7794
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQJA46EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
SQJA46EP-T1_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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