Número de Producto del Fabricante:
SI7810DN-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7810DN-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
8798 Pcs Nuevos Originales En Stock
12919735
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7810DN-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7810
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7810DN-T1-E3CT
SI7810DNT1E3
SI7810DN-T1-E3DKR
SI7810DN-T1-E3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI7117DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
SIR850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263