Número de Producto del Fabricante:
SI7862ADP-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7862ADP-T1-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 16 V 18A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12920055
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ENVIAR
SI7862ADP-T1-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7340 pF @ 8 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7862
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7862ADP-T1-E3-DG
SI7862ADP-T1-E3DKR
SI7862ADP-T1-E3CT
SI7862ADP-T1-E3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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