Número de Producto del Fabricante:
SI8416DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8416DB-T2-E1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Descripción Detallada:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventario:
16052 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914146
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI8416DB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1470 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja
6-UFBGA
Número de producto base
SI8416
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFZ24STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
