SI8424CDB-T1-E1
Número de Producto del Fabricante:

SI8424CDB-T1-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI8424CDB-T1-E1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Descripción Detallada:
N-Channel 8 V 6.3A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventario:

2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920216
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI8424CDB-T1-E1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2340 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-UFBGA, WLCSP
Número de producto base
SI8424

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8424CDB-T1-E1CT
SI8424CDBT1E1
SI8424CDB-T1-E1DKR
SI8424CDB-T1-E1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIE864DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

vishay-siliconix

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI2319DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3