SI8441DB-T2-E1
Número de Producto del Fabricante:

SI8441DB-T2-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI8441DB-T2-E1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 10.5A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Inventario:

12913870
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ENVIAR

SI8441DB-T2-E1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja
6-UFBGA
Número de producto base
SI8441

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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