Número de Producto del Fabricante:
SI8447DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8447DB-T2-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 11A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventario:
14 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920630
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ENVIAR
SI8447DB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.7V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja
6-UFBGA
Número de producto base
SI8447
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8447DBT2E1
SI8447DB-T2-E1TR
SI8447DB-T2-E1DKR
SI8447DB-T2-E1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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