SI8902EDB-T2-E1
Número de Producto del Fabricante:

SI8902EDB-T2-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI8902EDB-T2-E1-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6MICROFOOT
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

Inventario:

12787229
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SI8902EDB-T2-E1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 980µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-MICRO FOOT®CSP
Paquete de dispositivos del proveedor
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
Número de producto base
SI8902

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8902EDBT2E1
SI8902EDB-T2-E1TR
SI8902EDB-T2-E1CT
SI8902EDB-T2-E1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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