Número de Producto del Fabricante:
SIA417DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA417DJ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventario:
12914814
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ENVIAR
SIA417DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base
SIA417
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA417DJ-T1-GE3DKR
SIA417DJ-T1-GE3CT
SIA417DJT1GE3
SIA417DJ-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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