Número de Producto del Fabricante:
SIA814DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIA814DJ-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventario:
12918548
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ENVIAR
SIA814DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
LITTLE FOOT®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
61mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
340 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base
SIA814
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA814DJ-T1-GE3DKR
SIA814DJT1GE3
SIA814DJ-T1-GE3CT
SIA814DJ-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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