SIA929DJ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIA929DJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIA929DJ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventario:

1696 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786347
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIA929DJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
64mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
575pF @ 15V
Potencia - Máx.
7.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base
SIA929

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIA929DJ-T1-GE3DKR
SIA929DJ-T1-GE3TR
SIA929DJ-T1-GE3CT
SIA929DJ-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

SI7905DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SQ4946AEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

vishay-siliconix

SQ4917EY-T1_GE3

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC