SIB900EDK-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIB900EDK-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIB900EDK-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual

Inventario:

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SIB900EDK-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Número de producto base
SIB900

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIB900EDK-T1-GE3CT
SIB900EDKT1GE3
SIB900EDK-T1-GE3DKR
SIB900EDK-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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