Número de Producto del Fabricante:
SIDR680DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIDR680DP-T1-RE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventario:
5949 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977888
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIDR680DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5150 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIDR680DP-T1-RE3TR
742-SIDR680DP-T1-RE3DKR
742-SIDR680DP-T1-RE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQJ464EP-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
