Número de Producto del Fabricante:
SIHB16N50C-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHB16N50C-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
945 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920371
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ENVIAR
SIHB16N50C-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHB16N50C-E3DKR-DG
SIHB16N50C-E3-DG
SIHB16N50C-E3CT-DG
SIHB16N50C-E3CT
SIHB16N50C-E3TR
SIHB16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHB16N50C-E3CTINACTIVE
SIHB16N50C-E3DKR
742-SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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