Número de Producto del Fabricante:
SIHB6N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHB6N65E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12919026
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHB6N65E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHB6N65E-GE3CT-DG
SIHB6N65E-GE3TR
SIHB6N65E-GE3CT
SIHB6N65E-GE3TR-DG
SIHB6N65E-GE3TRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB11NM60T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
622
NÚMERO DE PIEZA
STB11NM60T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
