Número de Producto del Fabricante:
SIHD6N65ET5-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHD6N65ET5-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12916404
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHD6N65ET5-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SIHD6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFA14N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
IXFA14N60P-DG
PRECIO UNITARIO
2.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQD50034EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
