Número de Producto del Fabricante:
SIHFBE30S-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHFBE30S-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 800V
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977716
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ENVIAR
SIHFBE30S-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHFBE30S-GE3CT
742-SIHFBE30S-GE3DKR
742-SIHFBE30S-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFBE30STRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
800
NÚMERO DE PIEZA
IRFBE30STRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
SIHFBE30STRL-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
800
NÚMERO DE PIEZA
SIHFBE30STRL-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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