Número de Producto del Fabricante:
SIHFR320-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHFR320-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
2954 Pcs Nuevos Originales En Stock
12918800
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ENVIAR
SIHFR320-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SIHFR320
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIHFR320-GE3-DG
742-SIHFR320-GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFR320PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2827
NÚMERO DE PIEZA
IRFR320PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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