Número de Producto del Fabricante:
SIHG22N60AEL-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHG22N60AEL-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
47 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920823
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHG22N60AEL-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
EL
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1757 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG22
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
SIHG22N60AEL-GE3CT-DG
SIHG22N60AEL-GE3DKR
SIHG22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHG22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHG22N60AEL-GE3TR-DG
SIHG22N60AEL-GE3CT
SIHG22N60AEL-GE3TR
SIHG22N60AEL-GE3DKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCH150N65F-F155
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
73
NÚMERO DE PIEZA
FCH150N65F-F155-DG
PRECIO UNITARIO
3.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCH165N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
473
NÚMERO DE PIEZA
FCH165N60E-DG
PRECIO UNITARIO
2.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK16N60W,S1VF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
30
NÚMERO DE PIEZA
TK16N60W,S1VF-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW24N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
14
NÚMERO DE PIEZA
STW24N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
2.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQD2N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
SIHP28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
