Número de Producto del Fabricante:
SIHK185N60EF-T1GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHK185N60EF-T1GE3-DG
Descripción:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Inventario:
13002063
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ENVIAR
SIHK185N60EF-T1GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
EF
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
193mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1081 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK®10 x 12
Paquete / Caja
8-PowerBSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SIHK185N60EF-T1GE3CT
742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR
742-SIHK185N60EF-T1GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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