Número de Producto del Fabricante:
SIHP22N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP22N65E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12919599
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ENVIAR
SIHP22N65E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2415 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SIHP22
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP65R190E6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
580
NÚMERO DE PIEZA
IPP65R190E6XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCP190N65F
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1600
NÚMERO DE PIEZA
FCP190N65F-DG
PRECIO UNITARIO
1.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCP190N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
695
NÚMERO DE PIEZA
FCP190N60E-DG
PRECIO UNITARIO
1.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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