SIHP7N60E-BE3
Número de Producto del Fabricante:

SIHP7N60E-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIHP7N60E-BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 600V
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

1990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977854
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SIHP7N60E-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
742-SIHP7N60E-BE3
742-SIHP7N60E-BE3TR-DG
742-SIHP7N60E-BE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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